D2H235DE1


Brief description for the product

D2H235DE1

D2H235DE1是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

Parameter

Value

Unit
产品尺寸835*5440mm
应用电压48V
典型功率235W
效率79%
增益20.3dB



效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据

仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 842 mA, 频率 = 2.6 GHz