D2J070DH2


Brief description for the product

D2J070DH2

D2J070DH2是一款碳化硅(SiC)基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点,是各种射频和微波应用的理想选择。

Operating Characteristics

Parameter

Value

Unit
产品尺寸655*2725mm
典型功率 @6GHz 48V70W
效率 @6GHz 48V73%
增益 @6GHz 48V20.5dB
典型功率 @10GHz 28V38W
效率 @10GHz 28V60%
增益 @10GHz 28V15.5dB



1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点,最大效率下的仿真数据;仿真测试条件:VDD = 48 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 6 GHz

2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点,最大效率下的仿真数据;仿真测试条件:VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 10 GHz