| Part Number | Single finger grid width (μm) | Total grid width (mm) | Size X (μm) | Size Y (μm) | Typical Power (W) | Efficiency@2.6GHz 48V (%) | Gain@2.6GHz 48V (dB) | Download |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D2H025DB1 | 205 | 2.46 | 685 | 1035 | 25 | 82 | 22.7 | |
| D2H025DA1 | 315 | 2.52 | 645 | 825 | 25 | 82 | 21.9 | |
| D2H014DA1 | 350 | 1.40 | 695 | 568 | 14 | 83 | 22.9 | |
| D2H010DA1 | 250 | 1.00 | 685 | 570 | 10 | 83 | 23.7 |
D2H025DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
Parameter | Value | Unit |
| 产品尺寸 | 685*1035 | mm |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 25 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 22.7 | dB |
效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 74 mA, 频率 = 2.6 GHz
D2H025DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
Parameter | Value | Unit |
| 产品尺寸 | 645*825 | mm |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 25 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 21.9 | dB |
效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 76 mA, 频率 = 2.6 GHz
D2H014DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
Parameter | Value | Unit |
| 产品尺寸 | 695*568 | mm |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 14 | W |
| 效率 | 83 | % |
| 增益 | 22.9 | dB |
效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 42 mA, 频率 = 2.6 GHz
D2H010DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
Parameter | Value | Unit |
| 产品尺寸 | 685*570 | mm |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 10 | W |
| 效率 | 83 | % |
| 增益 | 23.7 | dB |
效率和增益指标为对应2.6GHz测试频点、最大效率点下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 30 mA, 频率 = 2.6 GHz
CN
